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BS170-D26Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, 通孔
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| 500+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
| 1000+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BS170-D26Z
库存编号2453384
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续500mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型TO-92
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散830mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BS170_D26Z is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High density cell design for low RDS (ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- 60V drain gate voltage (VDGR)
- ±20V continuous gate source voltage (VGSS)
- 150°C/W thermal resistance, junction to ambient
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
500mA
晶体管封装类型
TO-92
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BS170-D26Z 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000286