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BC847BLT1G

单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI BC847BLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, 表面安装
制造商ONSEMI
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库存编号
整卷2317816
复卷1653607RL
切割卷带1653607
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5+CNY0.577 (CNY0.652)
50+CNY0.469 (CNY0.530)
100+CNY0.360 (CNY0.4068)
500+CNY0.226 (CNY0.2554)
1500+CNY0.222 (CNY0.2509)
整卷
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号BC847BLT1G复制
    库存编号
    整卷2317816
    复卷1653607RL
    切割卷带1653607
    技术数据表

    Data Sheet

    晶体管极性NPN
    最大集电极发射电压45V
    连续集电极电流100mA
    功率耗散300mW
    晶体管封装类型SOT-23
    晶体管安装表面安装
    针脚数3引脚
    过渡频率100MHz
    直流电流增益, Hfe 最小值450hFE
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • The BC847BLT1G is a NPN silicon general purpose Bipolar Transistor, designed for use in linear and switching applications.

    • Inductive load protection
    • Steering logic
    • Polarity reversal protection
    • ESD rating - Human body model of <gt/>4000V
    • ESD rating - Machine model of <gt/>400V

技术规格

  • 晶体管极性

    NPN

    连续集电极电流

    100mA

    晶体管封装类型

    SOT-23

    针脚数

    3引脚

    直流电流增益, Hfe 最小值

    450hFE

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

    最大集电极发射电压

    45V

    功率耗散

    300mW

    晶体管安装

    表面安装

    过渡频率

    100MHz

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

技术文档 2

BC847BLT1G 的替代之选

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法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.09