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2N5886G 的替代之选
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产品概述
The 2N5886G is a 25A NPN high-power complementary Silicon Transistor designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
- Low collector-emitter saturation voltage (1VDC maximum VCE(sat) @ 15A DC IC)
- Low leakage current (1mA DC maximum ICEX @ rated voltage)
- Excellent DC current gain (20 minimum hFE @ 10A DC IC)
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
25A
晶体管封装类型
TO-204AA
针脚数
2引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
4hFE
产品范围
2NXXXX
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
200W
晶体管安装
通孔
过渡频率
4MHz
工作温度最高值
200°C
合规
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量(千克):.012021

