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RFD14N05SM9A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
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| 切割卷带 | 1 | CNY11.920 | CNY11.92 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.920 (CNY13.4696) |
| 10+ | CNY7.520 (CNY8.4976) |
| 100+ | CNY5.000 (CNY5.650) |
| 500+ | CNY3.900 (CNY4.407) |
| 1000+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
| 5000+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
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产品概述
The RFD14N05SM9A is a N-channel Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09770.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
14A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
48W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000556