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NVMFD5C680NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.040 | CNY20.04 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.040 (CNY22.6452) |
| 10+ | CNY12.950 (CNY14.6335) |
| 100+ | CNY8.840 (CNY9.9892) |
| 500+ | CNY7.080 (CNY8.0004) |
| 1000+ | CNY6.100 (CNY6.893) |
| 5000+ | CNY5.980 (CNY6.7574) |
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产品信息
制造商ONSEMI
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库存编号
复卷2835612RL
切割卷带2835612
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道26A
连续漏极电流 Id P沟道26A
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型DFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道19W
耗散功率P沟道19W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
NVMFD5C680NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -4.3mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 23mohm typical at (VGS = 10V, ID = 5A)
- Input capacitance is 350pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 0.8nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V; ID = 10A)
- Turn-on delay time is 6.4ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Rise time is 25ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
26A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
19W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
26A
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
19W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012