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NTMFS5C604NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY28.640 | CNY28.64 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY28.640 (CNY32.3632) |
| 10+ | CNY28.390 (CNY32.0807) |
| 100+ | CNY28.140 (CNY31.7982) |
| 500+ | CNY27.890 (CNY31.5157) |
| 1000+ | CNY27.630 (CNY31.2219) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS5C604NLT1G复制
库存编号
复卷2452046RL
切割卷带2452046
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续276A
漏源接通状态电阻930µohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散3.2W
针脚数5引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
NTMFS5C604NLT1G是一款N沟道功率MOSFET，提供60V漏极源极电压和276A连续漏电流。
- 占地面积小（5 x 6mm），设计紧凑
- 低RDS (ON), 低传导损耗
- 低QG和电容, 降低驱动器损耗
- 工作结温范围: -55到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
276A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
930µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000222