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NTF3055L108T1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.340 | CNY12.34 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.340 (CNY13.9442) |
| 10+ | CNY7.550 (CNY8.5315) |
| 50+ | CNY5.020 (CNY5.6726) |
| 200+ | CNY4.490 (CNY5.0737) |
| 500+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1000+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
| 3000+ | CNY3.390 (CNY3.8307) |
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产品概述
The NTF3055L108T1G is a N-channel logic level Power MOSFET, designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
2.1W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.68V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000199