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NDS0610
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.970 | CNY24.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 50+ | CNY4.060 (CNY4.5878) |
| 100+ | CNY3.150 (CNY3.5595) |
| 500+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 1500+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 9000+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
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产品概述
The NDS0610 is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Voltage controlled p-channel small signal switch
- High density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
120mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033