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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.840 | CNY8.84 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.840 (CNY9.9892) |
| 10+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
| 50+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
| 100+ | CNY5.110 (CNY5.7743) |
| 250+ | CNY4.790 (CNY5.4127) |
| 500+ | CNY4.590 (CNY5.1867) |
| 1000+ | CNY4.490 (CNY5.0737) |
| 2500+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
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产品概述
The NCP5104DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of the high-side power switch.
- High and low drive outputs
- Up to VCC swing on input pins
- Extended allowable negative bridge pin voltage swing to -10V for signal propagation
- Matched propagation delays between both channels
- 1 Input with internal fixed dead time (520ns)
- Under VCC lockout (UVLO) for both channels
- Pin-to-Pin-compatible with industry standards
- Rugged and flexible design
- Robust design
- Low level input for micro-controller operation
- Up to 600V High voltage
- ±50V/ns dV/dt Immunity
- 250/500mA Output source/sink current capability
- 3.3 and 5V Input logic compatible
警告
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技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
250mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-
输入延迟
85ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
500mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
150°C
输出延迟
35ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001
