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FDS4465.
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 13.5 A, 8500 µohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.840 | CNY16.84 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.840 (CNY19.0292) |
| 10+ | CNY10.750 (CNY12.1475) |
| 100+ | CNY7.250 (CNY8.1925) |
| 500+ | CNY5.770 (CNY6.5201) |
| 1000+ | CNY5.660 (CNY6.3958) |
| 5000+ | CNY5.540 (CNY6.2602) |
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产品概述
The FDS4465 is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8 to 8V). It is suitable for load switch and battery protection application.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High current and power handling capability
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13.5A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
8500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDS4465. 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000214