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FDC655BN
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.630 | CNY18.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.630 (CNY4.1019) |
| 50+ | CNY3.000 (CNY3.390) |
| 100+ | CNY2.350 (CNY2.6555) |
| 500+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 1500+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 9000+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC655BN复制
库存编号
整卷2251958
复卷2101405RL
切割卷带2101405
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续6.3A
漏源接通状态电阻0.025ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散800mW
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.3A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDC655BN 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000015