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FDC653N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.350 | CNY26.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.350 (CNY6.0455) |
| 50+ | CNY4.550 (CNY5.1415) |
| 100+ | CNY3.750 (CNY4.2375) |
| 500+ | CNY2.490 (CNY2.8137) |
| 1500+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC653N
库存编号
复卷1467969RL
切割卷带1467969
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续5A
漏源接通状态电阻0.035ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC653N is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMICA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000111