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ECH8695R-TL-W
双路场效应管, MOSFET, N通道, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.460 | CNY9.46 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.460 (CNY10.6898) |
| 10+ | CNY5.690 (CNY6.4297) |
| 100+ | CNY3.860 (CNY4.3618) |
| 500+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
| 1000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 5000+ | CNY2.170 (CNY2.4521) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号ECH8695R-TL-W复制
库存编号
复卷2774833RL
切割卷带2774833
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道24V
漏源电压Vds P沟道24V
连续漏极电流 Id N沟道11A
连续漏极电流 Id P沟道11A
漏源通态电阻N沟道0.0091ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-28FL
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
24V
连续漏极电流 Id P沟道
11A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
24V
连续漏极电流 Id N沟道
11A
漏源通态电阻N沟道
0.0091ohm
晶体管封装类型
SOT-28FL
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000071