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PSMN1R7-60BS,118
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 10+ | CNY31.730 (CNY35.8549) |
| 100+ | CNY22.480 (CNY25.4024) |
| 500+ | CNY22.040 (CNY24.9052) |
| 1000+ | CNY21.590 (CNY24.3967) |
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多件: 1
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产品概述
The PSMN1R7-60BS is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
306W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1660µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.014742