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PSMN1R7-30YL,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY24.220 | CNY24.22 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY24.220 (CNY27.3686) |
| 10+ | CNY15.530 (CNY17.5489) |
| 100+ | CNY10.590 (CNY11.9667) |
| 500+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 1000+ | CNY7.520 (CNY8.4976) |
| 5000+ | CNY6.570 (CNY7.4241) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN1R7-30YL,115复制
库存编号
复卷1699701RL
切割卷带1699701
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻1700µohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散109W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
PSMN1R7-30YL 是一款N沟道逻辑电平MOSFET, 采用先进TrenchMOS技术, 具有低RDS (ON)和低栅极电荷。设计用于DC-DC转换器, 锂离子电池保护, 负载开关, 服务器电源, 家用设备等应用。
- 良好的机械和温度特性
- 开关电源转换器内提供高效率增益
- LFPAK提供大功率密度, POWER SO8封装
- -55至175°C结温范围
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
109W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
1700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00039