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PSMN0R9-25YLC,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY24.430 | CNY24.43 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY24.430 (CNY27.6059) |
| 10+ | CNY15.830 (CNY17.8879) |
| 50+ | CNY13.310 (CNY15.0403) |
| 200+ | CNY10.790 (CNY12.1927) |
| 500+ | CNY10.100 (CNY11.413) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN0R9-25YLC,115
库存编号
复卷1895396RL
切割卷带1895396
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻990µohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.41V
功率耗散137W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
PSMN0R9-25YLC是一款采用NextPower技术的25V逻辑电平N沟道增强模式MOSFET。利用NextPower超级结技术，针对4.5V栅极驱动进行了优化。该器件设计用于电源OR-ing、服务器电源和同步整流器应用。
- 超低的QG、QGD和QOSS，在低负荷和高负荷时都有很高的系统效率
- 超低的RDS（ON）和低寄生电感
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
137W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
990µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.41V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PSMN0R9-25YLC,115 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145