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PSMN013-100YSEX
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 58 A, 0.011 ohm, SOT-669, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.800 (CNY30.284) |
| 10+ | CNY17.220 (CNY19.4586) |
| 100+ | CNY11.780 (CNY13.3114) |
| 500+ | CNY9.990 (CNY11.2887) |
| 1000+ | CNY8.810 (CNY9.9553) |
| 5000+ | CNY7.900 (CNY8.927) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN013-100YSEX复制
库存编号2281228
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续58A
漏源接通状态电阻0.011ohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散238W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
PSMN013-100YSE 是一款 N 沟道标准电平 MOSFET，具有增强的正向偏置安全工作区，可实现卓越的线性模式工作。 作为恩智浦 (NXP) NextPower Live 产品组合的一部分，PSMN013-100YSE 与最新的热插拔控制器相辅相成——它足够坚固，能够承受导通时的巨大浪涌电流，同时具有低 RDS (ON) 特性，可在持续使用中降低温度并提高效率。非常适合基于 48V 背板/供电轨的电信系统。
- 极低的 RDS(ON) 确保导通损耗极低
- 结温范围: -55到175°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
58A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
238W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.011ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145