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PMV41XPAR
功率场效应管, MOSFET, P通道, 28 V, 4 A, 0.05 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.260 | CNY26.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.260 (CNY5.9438) |
| 10+ | CNY3.270 (CNY3.6951) |
| 100+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 500+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
| 1000+ | CNY1.410 (CNY1.5933) |
| 5000+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMV41XPAR
库存编号
复卷4245896RL
切割卷带4245896
产品范围TrenchMOS Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds28V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散510mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchMOS Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
PMV41XPAR is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is -28V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 12V maximum
- Drain current is -4A max at VGS = -4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is -38A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 510mW max at Tamb = 25°C
- Source current is -1.2A max at Tamb = 25°C
- Total gate charge is 14nC typ at VDS = -15V; ID = -4A; VGS = -4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
510mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
28V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00017