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PMV30UN2R
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.660 | CNY23.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.660 (CNY5.2658) |
| 50+ | CNY2.730 (CNY3.0849) |
| 100+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 500+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
| 1500+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMV30UN2R
库存编号
复卷2469652RL
切割卷带2469652
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续5.4A
漏源接通状态电阻0.032ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值650mV
功率耗散490mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PMV30UN2 is a N-channel enhancement mode Field-effect Transistor (FET) in a small surface-mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Enhanced power dissipation capability of 1000mW.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- 0.9A Source current
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
490mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.032ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
650mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006