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PMV20XNER
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.430 | CNY37.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.430 (CNY8.3959) |
| 50+ | CNY4.270 (CNY4.8251) |
| 100+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 500+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 1500+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMV20XNER
库存编号
复卷2498579RL
切割卷带2498579
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续5.7A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型TO-236AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值650mV
功率耗散510mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PMV20XNE is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Low threshold voltage
- Enhanced power dissipation capability of 1200mW
- 2kV HBM ESD protection
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.7A
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
510mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
650mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PMV20XNER 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006804