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PMV16XNR
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 6.8 A, 0.02 ohm, TO-236AB, 表面安装
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| 100+ | CNY3.550 (CNY4.0115) |
| 500+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 1500+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
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产品概述
The PMV16XN is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in LED driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Enhanced power dissipation capability of 1200mW
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.8A
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
510mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
650mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
PMV16XNR 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000048