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PMV130ENEAR
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.100 | CNY20.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 50+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
| 100+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
| 500+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 1500+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
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产品概述
The PMV130ENEAR from NEXPERIA is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable applications: Relay driver, High-speed line driver, Low-side load switch and Switching circuits
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 1kV ESD protected
- AEC-Q101 qualified
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.1A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
460mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
PMV130ENEAR 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049