打印页面
PMN30XPX
功率场效应管, MOSFET, 沟槽式, P通道, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, 表面安装
可订购
制造商标准交货时间：60 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.650 | CNY28.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.650 (CNY6.3845) |
| 50+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 100+ | CNY2.220 (CNY2.5086) |
| 500+ | CNY1.680 (CNY1.8984) |
| 1500+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMN30XPX
库存编号
复卷2545273RL
切割卷带2545273
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续5.2A
漏源接通状态电阻0.03ohm
晶体管封装类型SOT-457
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值680mV
功率耗散550mW
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Trench MOSFET technology
- Low threshold voltage
- Enhanced power dissipation capability of 1400 mW
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.2A
晶体管封装类型
SOT-457
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
550mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
680mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000038