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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 100 | CNY1.510 | CNY151.00 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.510 (CNY1.7063) |
| 500+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
| 1500+ | CNY0.976 (CNY1.1029) |
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产品信息
产品概述
The PMGD780SN,115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.
- Fast switching speed
- Low ON-state resistance
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
300mA
漏源通态电阻N沟道
0.78ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
410mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
PMGD780SN,115 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000006
