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PMD3001D,115
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 330 mW
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.580 | CNY12.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.580 (CNY2.9154) |
| 50+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
| 100+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 500+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 1500+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMD3001D,115
库存编号
复卷1524143RL
切割卷带1524143
技术数据表
晶体管极性NPN, PNP
集电极发射极电压最大值NPN40V
集电极发射极电压最大值 PNP40V
连续集电极电流NPN1A
连续集电极电流NPN1A
耗散功率NPN330mW
耗散功率PNP330mW
直流电流增益hFE最小值NPN450hFE
直流电流增益hFE最小值PNP450hFE
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-
转换频率NPN-
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PMD3001D is a NPN-PNP Bipolar Transistor Array connected as push-pull driver in a surface-mount plastic package. It is suitable for MOSFET driver, power bipolar transistor driver and output current booster for operational amplifier.
- Low VCEsat breakthrough in small signal (BISS) transistors in push-pull configuration
- Application-optimized pin-out
- Space-saving solution
- Internal connections to minimize layout effort
- Reduces component count
技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
40V
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率PNP
330mW
直流电流增益hFE最小值PNP
450hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
40V
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率NPN
330mW
直流电流增益hFE最小值NPN
450hFE
晶体管封装类型
SuperSOT
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000015