PEMD13,115

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP互补, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm

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NEXPERIA PEMD13,115
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PEMD13,115
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复卷1758009RL
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    制造商产品编号PEMD13,115
    库存编号
    复卷1758009RL
    切割卷带1758009
    技术数据表
    数字晶体管极性NPN和PNP执行
    晶体管极性NPN和PNP互补
    集电极发射电压, Vceo50V
    集电极发射极电压最大值NPN50V
    集电极连续电流100mA
    集电极发射极电压最大值 PNP50V
    连续集电极电流100mA
    基极输入电阻 R14.7kohm
    基极-发射极电阻R247kohm
    电阻比 R1/R210电阻比率
    晶体管封装类型SOT-666
    射频晶体管封装SOT-666
    引脚数6引脚
    晶体管安装表面安装
    功率耗散200mW
    工作温度最高值150°C
    直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
    产品范围-
    合规-
    汽车质量标准-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
  • 警告

    该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。

  • 数字晶体管极性

    NPN和PNP执行

    集电极发射电压, Vceo

    50V

    集电极连续电流

    100mA

    连续集电极电流

    100mA

    基极-发射极电阻R2

    47kohm

    晶体管封装类型

    SOT-666

    引脚数

    6引脚

    功率耗散

    200mW

    直流电流增益, Hfe 最小值

    100hFE

    合规

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

    晶体管极性

    NPN和PNP互补

    集电极发射极电压最大值NPN

    50V

    集电极发射极电压最大值 PNP

    50V

    基极输入电阻 R1

    4.7kohm

    电阻比 R1/R2

    10电阻比率

    射频晶体管封装

    SOT-666

    晶体管安装

    表面安装

    工作温度最高值

    150°C

    产品范围

    -

    汽车质量标准

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Germany
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412100
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.000006