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PEMB9,315
晶体管 双极预偏置/数字, 双PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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| 100+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 500+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PEMB9,315复制
制造商标准货期36 周
库存编号1829390
产品范围PEMB9 Series
技术数据表
数字晶体管极性双路 PNP
晶体管极性双PNP
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射电压, Vceo-50V
集电极连续电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
电阻比 R1/R2-
基极-发射极电阻R247kohm
射频晶体管封装SOT-666
晶体管封装类型SOT-666
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散200mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
产品范围PEMB9 Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PEMB9 is a dual PNP Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
- Built-in bias resistors
- Simplifies circuit design
- Reduces component count
- PEMD9 NPN-PNP complement
- PEMH9 dual NPN complement
警告
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技术规格
数字晶体管极性
双路 PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极连续电流
-100mA
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-666
引脚数
6引脚
功率耗散
200mW
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
晶体管极性
双PNP
集电极发射电压, Vceo
-50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
10kohm
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SOT-666
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
PEMB9 Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000011