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PDTA114YQB-QZ
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.060 | CNY10.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 10+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
| 100+ | CNY0.770 (CNY0.8701) |
| 500+ | CNY0.565 (CNY0.6384) |
| 1000+ | CNY0.498 (CNY0.5627) |
| 5000+ | CNY0.441 (CNY0.4983) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTA114YQB-QZ复制
制造商标准货期80 周
库存编号
复卷3868889RL
切割卷带3868889
技术数据表
数字晶体管极性单路PNP
晶体管极性单个PNP
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值 PNP50V
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
电阻比 R1/R2-
基极-发射极电阻R247kohm
射频晶体管封装DFN1110D
晶体管封装类型DFN1110D
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散340mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
DFN1110D
引脚数
3引脚
功率耗散
340mW
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
-
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
10kohm
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
DFN1110D
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0006