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PBSS8110Z,135
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.220 | CNY36.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.220 (CNY8.1586) |
| 50+ | CNY6.000 (CNY6.780) |
| 250+ | CNY5.350 (CNY6.0455) |
| 1000+ | CNY4.700 (CNY5.311) |
| 2000+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY3.870 (CNY4.3731) |
| 12000+ | CNY3.220 (CNY3.6386) |
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产品概述
The PBSS8110Z is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- PNP complement is PBSS9110Z
- PB8110 Marking code
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
150hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
650mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000154