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PBSS8110X,135
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1 A, 2 W, SOT-89, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.050 | CNY30.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.050 (CNY6.8365) |
| 50+ | CNY3.580 (CNY4.0454) |
| 250+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
| 1000+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 2000+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 12000+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS8110X,135
库存编号
整卷2439553
复卷1907672RL
切割卷带1907672
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流1A
功率耗散2W
晶体管封装类型SOT-89
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值150hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS8110X is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High efficiency leading to less heat generation
- PNP complement is PBSS9110X
- 4B Marking code
警告
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技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-89
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
150hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
2W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
PBSS8110X,135 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000104