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PBSS5350T,215
单晶体管 双极, PNP, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.050 | CNY30.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.050 (CNY6.8365) |
| 50+ | CNY3.350 (CNY3.7855) |
| 100+ | CNY2.420 (CNY2.7346) |
| 500+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
| 1500+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
| 9000+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS5350T,215
库存编号
整卷2439546
复卷8736570RL
切割卷带8736570
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压50V
连续集电极电流3A
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值200hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS5350T is a 3A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
- High collector current capability
- High collector current gain
- Improved efficiency due to reduced heat generation
- NPN complement is PBSS4350T
- ZD Marking code
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
3A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
200hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
50V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000227