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PBSS5220T,215
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY5.030 (CNY5.6839) |
| 100+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 500+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
| 1000+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
| 5000+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS5220T,215
库存编号
切割卷带8736456
切割卷带8736456RL
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压20V
连续集电极电流2A
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值225hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS5220T is a 2A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package offering ultra-low VCEsat and RCEsat parameters.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capabilities of IC and ICM
- Higher efficiency leading to less heat generation
- Reduced printed-circuit board requirements
- 3F Marking code
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
225hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
20V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008