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PBSS4440D,115
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 4 A, 1.1 W, SOT-457, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.860 | CNY39.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 10+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
| 100+ | CNY3.490 (CNY3.9437) |
| 500+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 1000+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 5000+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
品項附註
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产品概述
The PBSS4440D,115 is a NPN low VCEsat breakthrough in Small Signal (BISS) Transistor in a SMD plastic package with 6 leads. Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat, 4A continuous collector current capability IC (DC) and very low collector-emitter saturation resistance.
- Very low collector-emitter saturation resistance
- High efficiency due to less heat generation
- 0.8A Base current (DC)
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
4A
晶体管封装类型
SOT-457
针脚数
6引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
300hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
40V
功率耗散
1.1W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
150MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072