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PBSS4160U,115
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.160 | CNY25.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.160 (CNY5.8308) |
| 50+ | CNY3.580 (CNY4.0454) |
| 100+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
| 500+ | CNY1.440 (CNY1.6272) |
| 1500+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
| 9000+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
品項附註
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS4160U,115
库存编号
整卷2439527
复卷1757961RL
切割卷带1757961
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压60V
连续集电极电流1A
功率耗散250mW
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率220MHz
直流电流增益, Hfe 最小值500hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS4160U,115 is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability of IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- PNP complement is PBSS5160U
- 52 Marking code
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-323
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
500hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
250mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
220MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
PBSS4160U,115 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006