打印页面
PBSS4160DS,115
双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 1 A, 420 mW
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
3,115 有货
需要更多？
3115 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.350 | CNY26.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.350 (CNY6.0455) |
| 10+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
| 100+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 500+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 1000+ | CNY1.440 (CNY1.6272) |
| 5000+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS4160DS,115
库存编号
复卷1757960RL
切割卷带1757960
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN60V
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流NPN1A
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN420mW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN500hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SOT-457
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN220MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS4160DS,115 is a dual NPN breakthrough small signal (BISS) Bipolar Transistor Array in a surface-mount plastic package. It is suitable for dual low power switch applications. It utilizes required smaller printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- PBSS5160DS dual PNP complement
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
60V
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率NPN
420mW
直流电流增益hFE最小值NPN
500hFE
晶体管封装类型
SOT-457
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
220MHz
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006