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PBSS4120T,215
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 100 | CNY1.560 | CNY156.00 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.560 (CNY1.7628) |
| 500+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 1500+ | CNY0.983 (CNY1.1108) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.756 (CNY0.8543) |
| 9000+ | CNY0.741 (CNY0.8373) |
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产品概述
The PBSS4120T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package provides ultra-low VCEsat and RCEsat parameters. It is suitable for use with the peripheral driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High efficiency leading to less heat generation
- Reduced printed-circuit board requirements
- PNP complement is PBSS5120T
- 3B Marking code
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
470hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
20V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008