打印页面
PBSS4120T,215
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：59 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 100 | CNY1.690 | CNY169.00 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 500+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 1500+ | CNY1.230 (CNY1.3899) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.881 (CNY0.9955) |
| 9000+ | CNY0.864 (CNY0.9763) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS4120T,215
库存编号
整卷2439520
切割卷带8736162
切割卷带8736162RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压20V
连续集电极电流1A
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值470hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS4120T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package provides ultra-low VCEsat and RCEsat parameters. It is suitable for use with the peripheral driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High efficiency leading to less heat generation
- Reduced printed-circuit board requirements
- PNP complement is PBSS5120T
- 3B Marking code
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
470hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
20V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
PBSS4120T,215 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008