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PBSS4041PZ,115
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 5.7 A, 770 mW, SOT-223, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY11.130 | CNY11.13 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.130 (CNY12.5769) |
| 10+ | CNY6.850 (CNY7.7405) |
| 50+ | CNY6.490 (CNY7.3337) |
| 200+ | CNY6.130 (CNY6.9269) |
| 500+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
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产品概述
The PBSS4041PZ is a 5.7A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High energy efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- AEC-Q101 qualified
- NPN complement is PBSS4041NZ
- PB4041PZ Marking code
警告
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技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
5.7A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
300hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
770mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
110MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
PBSS4041PZ,115 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000124