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PBHV8115T,215
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.440 | CNY47.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.440 (CNY10.6672) |
| 50+ | CNY5.870 (CNY6.6331) |
| 100+ | CNY4.720 (CNY5.3336) |
| 500+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
| 1500+ | CNY3.440 (CNY3.8872) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
| 9000+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBHV8115T,215
库存编号
整卷2439495
复卷1829308RL
切割卷带1829308
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压150V
连续集电极电流1A
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率30MHz
直流电流增益, Hfe 最小值250hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBHV8115T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a small surface-mount plastic package.
- High voltage
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- AEC-Q101 qualified
- W6 Marking code
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
250hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
150V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
30MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008