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NX3020NAKW,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
| 10+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 100+ | CNY0.704 (CNY0.7955) |
| 500+ | CNY0.516 (CNY0.5831) |
| 1000+ | CNY0.446 (CNY0.504) |
| 5000+ | CNY0.368 (CNY0.4158) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX3020NAKW,115
库存编号2311183
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续180mA
漏源接通状态电阻2.7ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散300mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NX3020NAKW is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, low-side load-switch, high-speed line driver and switching circuit applications.
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ESD protection
- Low threshold voltage
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
2.7ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006