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NX3008NBKV,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.4 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 100+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 500+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 1000+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
| 5000+ | CNY0.960 (CNY1.0848) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX3008NBKV,115复制
库存编号2069545
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道400mA
连续漏极电流 Id P沟道400mA
漏源通态电阻N沟道1.4ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-666
针脚数6引脚
耗散功率N沟道330mW
耗散功率P沟道330mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NX3008NBKV is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
400mA
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
330mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
400mA
漏源通态电阻N沟道
1.4ohm
晶体管封装类型
SOT-666
耗散功率N沟道
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045