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NSF080120D7A0J
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY84.440 | CNY84.44 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY84.440 (CNY95.4172) |
| 5+ | CNY71.540 (CNY80.8402) |
| 10+ | CNY58.630 (CNY66.2519) |
| 50+ | CNY57.880 (CNY65.4044) |
| 100+ | CNY57.130 (CNY64.5569) |
| 250+ | CNY56.380 (CNY63.7094) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NSF080120D7A0J复制
制造商标准货期34 周
库存编号
复卷4416134RL
切割卷带4416134
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续33A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.064ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.9V
功率耗散167W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
33A
漏源接通状态电阻
0.064ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.9V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
167W
产品范围
-
技术文档 (1)
NSF080120D7A0J 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001504