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NHUMD12-QX
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.060 (CNY3.4578) |
| 10+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 100+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 500+ | CNY0.831 (CNY0.939) |
| 1000+ | CNY0.733 (CNY0.8283) |
| 5000+ | CNY0.641 (CNY0.7243) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NHUMD12-QX复制
制造商标准货期62 周
库存编号4697706
产品范围NHUMD12-Q Series
技术数据表
晶体管极性NPN, PNP
集电极发射极电压最大值NPN80V
集电极发射极电压最大值 PNP80V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R147kohm
基极-发射极电阻R247kohm
晶体管封装类型SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散350mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
产品范围NHUMD12-Q Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
80V
基极输入电阻 R1
47kohm
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
NHUMD12-Q Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
80V
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
引脚数
6引脚
功率耗散
350mW
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001