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GAN3R2-100CBEAZ
氮化镓 (GaN)晶体管, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY46.160 | CNY46.16 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY46.160 (CNY52.1608) |
| 10+ | CNY30.560 (CNY34.5328) |
| 100+ | CNY21.750 (CNY24.5775) |
| 500+ | CNY20.280 (CNY22.9164) |
| 1000+ | CNY19.880 (CNY22.4644) |
| 25+ | CNY31.000 (CNY35.030) |
| 50+ | CNY27.050 (CNY30.5665) |
品項附註
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号GAN3R2-100CBEAZ
库存编号
复卷4198483RL
切割卷带4198483
技术数据表
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻2400µohm
栅极电荷(典型值)9.2nC
晶体管封装类型WLCSP
晶体管安装表面安装
针脚数8引脚
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
2400µohm
晶体管封装类型
WLCSP
针脚数
8引脚
合规
-
电流, Id 连续
60A
栅极电荷(典型值)
9.2nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000833