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GAN190-650FBEZ
氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY52.790 | CNY52.79 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY52.790 (CNY59.6527) |
| 10+ | CNY35.100 (CNY39.663) |
| 100+ | CNY24.930 (CNY28.1709) |
| 500+ | CNY24.220 (CNY27.3686) |
| 1000+ | CNY23.240 (CNY26.2612) |
| 25+ | CNY24.800 (CNY28.024) |
| 50+ | CNY21.640 (CNY24.4532) |
品項附註
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号GAN190-650FBEZ
库存编号
复卷4198482RL
切割卷带4198482
技术数据表
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续11.5A
漏源接通状态电阻0.138ohm
栅极电荷(典型值)2.8nC
晶体管封装类型DFN5060
晶体管安装表面安装
针脚数8引脚
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.138ohm
晶体管封装类型
DFN5060
针脚数
8引脚
合规
-
电流, Id 连续
11.5A
栅极电荷(典型值)
2.8nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000833