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|---|---|
| 1+ | CNY26.600 (CNY30.058) |
| 10+ | CNY17.110 (CNY19.3343) |
| 100+ | CNY11.780 (CNY13.3114) |
| 500+ | CNY9.710 (CNY10.9723) |
| 1000+ | CNY9.140 (CNY10.3282) |
| 5000+ | CNY8.960 (CNY10.1248) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
BUK9Y8R5-80E 是一款N沟道逻辑电平MOSFET, 采用TrenchMOS®技术。该器件符合AEC-Q101标准, 适用于高性能车用应用。
- 重复性雪崩评测
- 175°C额定温度, 适用于高温环境
- 175°C, 真逻辑电平门VGS (th)额定值大于0.5V
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
238W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
5800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000159
