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BUK9Y107-80EX
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 10+ | CNY4.050 (CNY4.5765) |
| 100+ | CNY2.630 (CNY2.9719) |
| 500+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
| 1000+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
| 5000+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
CNY32.40 (CNY36.61 含税)
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产品概述
BUK9Y107-80EX是一款采用TrenchMOS技术的逻辑电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56（Power SO8）封装。该产品已按AEC Q101标准设计并通过认证，适用于高性能汽车应用。 典型应用包括 12V、24V 和 48V 汽车系统、电机、灯具和电磁阀控制、变速箱控制以及超高性能功率开关。
- 符合重复雪崩测试标准
- 175°C额定温度, 适用于高温环境
- 175°C, 真逻辑电平门VGS (th)额定值大于0.5V
- 在 ID = 250µA；VGS = 0V，Tj=25°C 时，漏极-源极击穿电压为 80V（最小）
- 在 VDS=80V；VGS = 0V；Tj = 25°C 时，漏极漏电流为 0.1µA（典型值）
- 在 VGS = 5V、ID = 5A、Tj = 25°C 时，漏源导通电阻典型值为 89.7mΩ
- 栅极-漏极电荷典型值为 2.5nC
- 典型上升时间为 7.5ns（VDS = 60V，RL = 10 ohm；VGS = 5V；RG(ext) = 5 ohm；Tj = 25°C）
- 在 VDS = 60V，RL = 10 ohm，VGS = 5V，RG(ext) = 5 ohm，Tj = 25°C 时，下降时间为 7.3ns（典型值）
- 在IS = 5A；VGS = 0V；Tj = 25°C时，源极-漏极电压为 0.84V（典型值）
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11.8A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
37W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0824ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004749