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BSP89,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 240 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-223, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.320 | CNY8.32 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.320 (CNY9.4016) |
| 10+ | CNY5.890 (CNY6.6557) |
| 50+ | CNY4.890 (CNY5.5257) |
| 200+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
| 500+ | CNY3.060 (CNY3.4578) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSP89,115
库存编号
复卷1758087RL
切割卷带1758087
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds240V
电流, Id 连续340mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散1.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSP89,115 is a N-channel enhancement-mode logic level FET in a plastic package using vertical D-MOS technology. It is intended for use as a surface-mount device in line current interrupters in telephone sets and for application in relay, high speed and line transformer drivers.
- Direct interface to Complementary (C-MOS) transistor and Transistor-Transistor Logic (TTL) devices
- Very fast switching
- No secondary breakdown
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
340mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
240V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000151