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BSP122,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.520 | CNY8.52 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.520 (CNY9.6276) |
| 10+ | CNY5.270 (CNY5.9551) |
| 50+ | CNY4.440 (CNY5.0172) |
| 200+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
| 500+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSP122,115
库存编号
复卷1758079RL
切割卷带1758079
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续750mA
漏源接通状态电阻2.5ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散1.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSP122,115 is a N-channel enhancement-mode vertical D-MOS Transistor housed in a surface-mount package. It is intended for use as a line current interrupter in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers.
- Direct interface to C-MOS, TTL
- High-speed switching
- No secondary breakdown
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
750mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
2.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003583