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BSH203,215
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 1000+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSH203,215复制
库存编号1972669
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续470mA
漏源接通状态电阻0.9ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值680mV
功率耗散417mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSH203 is a P-channel enhancement-mode Power MOS Transistor housed subminiature surface-mount package. The device has low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal for battery powered applications and high speed digital interfacing.
- Low threshold voltage
- Fast switching
- Logic level compatible
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
470mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
417mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.9ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
680mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008