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BSH111BKR
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, 表面安装
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切割卷带 & 复卷
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|---|---|
| 5+ | CNY3.680 (CNY4.1584) |
| 50+ | CNY2.000 (CNY2.260) |
| 100+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 500+ | CNY0.921 (CNY1.0407) |
| 1500+ | CNY0.802 (CNY0.9063) |
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产品概述
The BSH111BK from Nexperia is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable for relay driver, high speed line driver, low-side load switch and switching circuits
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection <gt/> 3 kV HBM
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
210mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
302mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000168